A vezető processzorgyártók jelezték, hogy a következő generációs (45nm csíkszélesség) processzoraiban újfajta anyagok építik fel a tranzisztorokat. A legfontosabb szempont az anyagválasztásban a szivárgási áram leszorítása volt a teljesítmény növelése mellett – ami a jelenlegi szivárgás mértékének körülbelül az egyötödére csökkentését jelenti.
Az Intel tájékoztatása szerint az eddigi, szilíciumalapú kapuelektródák ezentúl fémes anyagokból fognak készülni, de pontos összetételüket nem hozták nyilvánosságra. Ezzel párhuzamosan a hosszú ideje használatos kapuoxid (ami a „source” és a „drain” elektródák közt helyezkedik el) anyagát felváltja egy magas k-állandójú dielektrikum.
Ezen változtatások nem igényelnek változtatást a gyártási eljárásban, tehát a gyártósorok lecserélése nélkül elkezdhető a tömeggyártás. Az Intel Penryn kódnevű lapkája már ezekből az új anyagokból készül, melynek működőképes prototípusát nemrég mutatták be – a tömeggyártást ez év második felére tervezik.
A termeléshez a két amerikai Intel-gyárhoz az izraeli gyár is csatlakozik 2008-ban. Hasonló megoldásokon dolgozik az IBM az AMD-vel, ehhez csatlakozik a Sony és a Toshiba is a fejlesztési területeken.
Forrás: Prohardware
